В СамГТУ синтезируют новые кристаллические ионные проводники

Специалисты международного научно-исследовательского центра по теоретическому материаловедению (МНИЦТМ) Политеха занимаются поиском кристаллических ионных проводников, в которых рабочим ионом выступает цинк. Найденные вещества могут быть использованы для создания принципиально новых цинк-ионных аккумуляторов. Результаты последних исследований опубликованы в журнале The Journal of Physical Chemistry.

Исследования ученых лежат в русле современного тренда по созданию новых электрохимических систем хранения энергии для электромобилей и сетевых накопителей энергии.

– В настоящее время мир переживает настоящий бум «зеленой» энергетики. В связи с этим особой популярностью пользуются металл-ионные аккумуляторы, в частности литий-ионные. Компактные и мощные, они легли в основу мобильной электроники и электромобилей, – поясняет старший научный сотрудник МНИЦТМ Артем Кабанов. – Мы занимаемся поиском новых материалов для мультивалентных металл-ионных аккумуляторов (в частности, магний- и цинк-ионных). Такие аккумуляторы, согласно теоретическим оценкам, более компактны и одновременно более мощные, чем литий-ионные и могут использоваться в электромобилях, а также для буферизации электроэнергии от возобновляемых источников – солнечных и ветряных электростанций. Однако для таких аккумуляторов нужны соответствующие материалы. Помимо поиска материалов мы создаем соответствующую базу данных batterymaterials.info, на которую недавно получили свидетельство о государственной регистрации.

В конце июня исследование ученых было поддержано Губернским грантом в области науки и техники. Полученные денежные средства в размере 200 тысяч рублей будут направлены на приобретение экспериментального оборудования для изготовления электрохимических ячеек. В них ученые будут тестировать синтезированные материалы и измерять их свойства (ионную проводимость, циклируемость и т.д.).

Результаты дальнейших исследований будут опубликованы в одном из престижных научных журналов, передает пресс-служба СамГТУ.

Фото:    пресс-служба СамГТУ